华东理工大学教授杨双、杨化桂、侯宇团队成功制备出具有高稳定性、强电荷收集能力和器件可扩展性的非晶硫化钒(Sb2S3)材料。最近，《纳米快报》发表了相关研究。

非晶体半导体材料具有成本低、均匀性高、衬底兼容性好等优点，在光伏设备、平板显示、存储器、传感器等领域具有重要的应用价值。但是，目前具有优异光电性能的非晶体半导体材料种类仍然非常有限。近几年来，新兴光电材料Sb2S3表现出了一定的应用潜力，但是如何制备非晶体Sb2S3半导体薄膜材料仍然是一个亟待解决的问题。

研究小组有针对性地开发了非晶体Sb2S3材料。研究结果表明，加入异价金属卤化物可以改善Sb2S3的链状结构，降低系统的自由能力，进而提高其玻璃化能力。另外，非晶体Sb2S3具有窄带间隙和高载流子寿命乘积的优点，其组装的X射线探测器在探测灵敏度和最低检测限制方面表现良好。研究小组基于非晶体Sb2S3薄膜的面积均匀性和高灵敏度特性，成功实现了在低剂量下实时高分辨率的X射线成像。